　HED-T5000シリーズ

HED-T5000/T5000VF	仕様
	試験器モデル	HED-T5000/HED-T5000VF
	TLP試験方式	TDR(Time Domain Reflection)
	パルス電圧	終端開放：±500V(0.1V/step)、50Ω負荷時：±250V(0.2V/step)
	パルス電流	短絡：Max. 10A、50Ω負荷時：Max. 5A
	パルス幅	100ns/200ns(同軸コネクタ差し替え） ※1ns/2ns/3ns/100ns/200ns(同軸コネクタ差し替え)
	パルス立ち上がり	200ps/2ns/10ns/20ns/50ns(同軸コネクタ差し替え）
	オシロスコープ	Tektronix TDS3052B (500MHz)、※TDS6604B(6GHz)
	電圧プローブ	Tektronix P6139A (500MHz)
	電流プローブ	Tektronix CT-1 (1GHz) ※CT-6(2GHz)
	リーク測定	測定電圧±10V(0.01V/step）、即停電流max. 100mA
	装置サイズ	1170 (W) x 750 (D) x 860 (H) パソコンも含む
	重量	パッケージタイプ：約60kg、ウェハータイプ：約150kg
	通信プロトコール	RS232C/GPIB
	OS	WindowsXP
	使用電力	AC100V/5A, 50/60Hz
		※印はHED-T5000VFのみに適用

特徴
1.　最先端試験モードの装備
　　印加パルス幅120ns/200nsのノーマル試験と印加パルス幅を1nsまで小さくしたVFTLP(Very Fast TLP)の試験モードを取り揃えています。ESD耐性でのHBM/CDM試験の検証に有効です。
2.　分析をサポートするモニター表示
　　デバイスピンへの入射波、デバイスピンからの反射波を標準に装備されたオシロスコープで確認できます。このデータは保存され、専用モニターにも表示されます。専用モニターで入射波/反射波の合計値、スナップバック特性、Vf/Im測定によるリーク測定値等がトレースで確認できます。
3.　特性データの差分表示
　　保存されたオシロスコープからのデータは、自由度の高い演算処理を可能にします。例えば、プロセスを変えたトランジスタのON電圧や保護回路に流せる最大電流値に対し、トレースを重ね合わせることで差分を確認することができます。
4.　Wafer ESD試験器との接続
　　Wafer ESD試験器（HED-W5120D）と接続してTLP試験を自動化することができます。Wafer上の印加ピンやチップ間の自動シフト、そして自動測定。試験効果率を大きく向上させます。

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