阪和電子半導体解析装置:デバイスへの静電気耐圧試験およびラッチアップ試験

・Wafer ESD試験器:Wafer上でHBM、MMの試験が可能


 HED-W5000M

HED-W5000M

仕様

パルス印加モデル
HBM/MM
印加電圧 ± 4KV - 8K/V
印加電圧ステップ ± 10V
印加回数 1-99回
インターバル時間 0.3 - 0.9s
X/Y軸移動範囲 8mm x 8mm (GNDピンのみ)
Z軸移動範囲 8mm
Z軸移動ステップ 0.058μm
測定電圧 ± 10V
測定精度 0.5± (1/500FS ±1nA)
外形寸法 740(W) x 550(D) x 610(H) 本体
O/S Windows2000/XP

特徴
1. ウエハー上で波形保証
HBM、MMの規格波形をウエハー上で保証します
2. 印加直後の破壊判定を自動化
パルス印加後、Vf/Im測定による破壊判定が可能です。
3. フレンドリーな2ピン間選択
マニュピレータを操作して簡単に2ピン間の位置合わせが出来ます 。


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