阪和電子半導体解析装置:デバイスへの静電気耐圧試験およびラッチアップ試験
・Wafer ESD試験器:Wafer上でHBM、MMの試験が可能
HED-W5000M
![]() HED-W5000M |
仕様 |
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パルス印加モデル |
HBM/MM | |
| 印加電圧 | ± 4KV - 8K/V | |
| 印加電圧ステップ | ± 10V | |
| 印加回数 | 1-99回 | |
| インターバル時間 | 0.3 - 0.9s | |
| X/Y軸移動範囲 | 8mm x 8mm (GNDピンのみ) | |
| Z軸移動範囲 | 8mm | |
| Z軸移動ステップ | 0.058μm | |
| 測定電圧 | ± 10V | |
| 測定精度 | 0.5± (1/500FS ±1nA) | |
| 外形寸法 | 740(W) x 550(D) x 610(H) 本体 | |
| O/S | Windows2000/XP | |
特徴
1. ウエハー上で波形保証
HBM、MMの規格波形をウエハー上で保証します。
2. 印加直後の破壊判定を自動化
パルス印加後、Vf/Im測定による破壊判定が可能です。
3. フレンドリーな2ピン間選択
マニュピレータを操作して簡単に2ピン間の位置合わせが出来ます 。
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