阪和電子半導体解析装置：デバイスへの静電気耐圧試験およびラッチアップ試験

・静電破壊装置：コンデンサ放電によるHBM、MMに対応した試験

　HED-N5000-DCPCシリーズ

HED-N5256-DCPC3	仕様
	最大測定ピン数	1024ピン
	パルス印加モデル	HBMx2/MMx2
	対応規格	JEITA、ESDA、JEDEC
	印加電圧	±4KVオプション（±8KV)
	印加電圧ステップ	10V
	パルス印加回数	1 - 99 times
	パルス間隔時間	0.3 - 9.9s
	測定電圧	±40V (Step 0.05V)
	測定精度	0.5± (1/500FS ±1nA)
	バイアス用電源	±35V/1A
	ラッチアップ試験	パルス電流法、電源過電圧法、ESDパルス印加法
	波形サンプリング	10MHz,MAX 4000ポイント
	O/S	Windows2000/XP

特徴
1.　複数デバイスの試験
　　最大8個のデバイスを試験できます。制限はありますが、複数同時印加もできます。
2.　多様な規格波形への対応
　　日本、海外の規格に対応した信頼性の高い装置です。（JEITA規格、ESDA規格、JEDEC規格）
3.　ラッチアップ試験への対応
　　パルス電流法、電源過電圧法、ESDパルス印加法への対応が可能です。
4.　破壊判定機能の多様性を確立
　　DC測定による破壊判定、オプションとしてパターン入力を利用したファンクション試験が可能。

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